Samsung Intros 9,8 Gbps HBM3E “Shinebolt”, 32 Gbps GDDR7, 7,5 Gbps LPDDR5x CAMM2 μνήμη

Η Samsung παρουσίασε επίσημα τις τεχνολογίες μνήμης επόμενης γενιάς, όπως HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 και πολλά άλλα κατά τη διάρκεια της

Ημέρα Τεχνολογίας Μνήμης 2023

.

Η Samsung βγάζει τα πάντα με τις τεχνολογίες μνήμης επόμενης γενιάς, συμπεριλαμβανομένων των HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 και άλλων

Έχουμε ήδη αναφέρει τις εξελίξεις στη μνήμη Samsung HBM3E με την κωδική ονομασία “Shine Bolt” και GDDR7 για εφαρμογές AI, Gaming και data center επόμενης γενιάς. Αυτά μπορούν να θεωρηθούν ως τα δύο μεγαλύτερα highlights της Memory Tech Day 2023, αλλά η Samsung σίγουρα έχει πολύ περισσότερη δράση σε εξέλιξη.

Μνήμη Samsung HBM3E “Shinebolt” για AI και κέντρα δεδομένων

Με βάση την τεχνογνωσία της Samsung στην εμπορευματοποίηση του πρώτου HBM2 της βιομηχανίας και το άνοιγμα της αγοράς HBM για υπολογιστές υψηλής απόδοσης (HPC) το 2016, η εταιρεία αποκάλυψε σήμερα την επόμενη γενιά HBM3E DRAM, που ονομάζεται Shinebolt. Το Shinebolt της Samsung θα τροφοδοτήσει τις εφαρμογές τεχνητής νοημοσύνης επόμενης γενιάς, βελτιώνοντας το συνολικό κόστος ιδιοκτησίας (TCO) και επιταχύνοντας την εκπαίδευση και την εξαγωγή συμπερασμάτων σε μοντέλα AI στο κέντρο δεδομένων.

Το HBM3E μπορεί να υπερηφανεύεται για μια εντυπωσιακή ταχύτητα 9,8 gigabits ανά δευτερόλεπτο (Gbps) ανά ταχύτητα pin, που σημαίνει ότι μπορεί να επιτύχει ρυθμούς μεταφοράς που υπερβαίνουν τα 1,2 terabytes-per-second (TBps). Προκειμένου να ενεργοποιηθούν οι στοίβες υψηλότερων στρωμάτων και να βελτιωθούν τα θερμικά χαρακτηριστικά, η Samsung βελτιστοποίησε την τεχνολογία της μη αγώγιμης μεμβράνης (NCF) για να εξαλείψει τα κενά μεταξύ των στρωμάτων τσιπ και να μεγιστοποιήσει τη θερμική αγωγιμότητα. Τα προϊόντα 8H και 12H HBM3 της Samsung βρίσκονται επί του παρόντος σε μαζική παραγωγή και δείγματα για το Shinebolt αποστέλλονται στους πελάτες.

Στηριζόμενη στη δύναμή της ως πάροχος ολοκληρωμένων λύσεων ημιαγωγών, η εταιρεία σχεδιάζει επίσης να προσφέρει μια προσαρμοσμένη υπηρεσία με το κλειδί στο χέρι που συνδυάζει HBM επόμενης γενιάς, προηγμένες τεχνολογίες συσκευασίας και προσφορές χυτηρίου.

Σύγκριση προδιαγραφών μνήμης HBM

Samsung GDDR7 – 32 Gbps & 32 Gb DRAM για γραφικά gaming επόμενης γενιάς

Άλλα προϊόντα που επισημάνθηκαν στην εκδήλωση περιλαμβάνουν τη μνήμη DDR5 DRAM 32 Gb με την υψηλότερη χωρητικότητα του κλάδου, την πρώτη GDDR7 των 32 Gbps της βιομηχανίας και το PBSSD σε κλίμακα petabyte, το οποίο προσφέρει σημαντική ώθηση στις δυνατότητες αποθήκευσης για εφαρμογές διακομιστή.

Σύμφωνα με τη Samsung, η μνήμη GDDR7 θα προσφέρει 40% ώθηση απόδοσης και 20% βελτίωση της απόδοσης ισχύος σε σύγκριση με την τρέχουσα ταχύτερη μνήμη GDDR6 DRAM 24 Gbps που προσφέρει χωρητικότητα καλουπιών έως και 16 Gb. Τα πρώτα προϊόντα θα βαθμολογηθούν σε ταχύτητες μεταφοράς έως και 32 Gbps, γεγονός που σηματοδοτεί 33% βελτίωση σε σχέση με τη μνήμη GDDR6, ενώ θα επιτυγχάνεται έως και 1,5 TB/s εύρους ζώνης που θα επιτευχθεί σε λύση διασύνδεσης διαύλου 384 bit.

Ακολουθεί το εύρος ζώνης που θα προσφέρουν οι ταχύτητες καρφίτσας 32 Gbps σε πολλαπλές διαμορφώσεις διαύλου:

• 
  512-bit –
  
  2048 GB/s (2,0 TB/s)
• 
  384-bit –
  
  1536 GB/s (1,5 TB/s)
• 
  320-bit –
  
  1280 GB/s (1,3 TB/s)
• 
  256-bit –
  
  1024 GB/s (1,0 TB/s)
• 
  192-bit –
  
  768 GB/s
• 
  128-bit –
  
  512 GB/s

Η εταιρεία έχει επίσης δοκιμάσει πρώιμα δείγματα που τρέχουν σε ταχύτητες έως και 36 Gbps, αν και αμφιβάλλουμε ότι θα είναι έτοιμα σε αρκετές ποσότητες μαζικής παραγωγής για να πληρούν τις σειρές gaming επόμενης γενιάς και GPU AI.

Η μνήμη GDDR7 θα προσφέρει επίσης 20% υψηλότερη απόδοση και αυτό είναι υπέροχο δεδομένου ότι η μνήμη καταναλώνει τεράστια ποσότητα ενέργειας για GPU υψηλής τεχνολογίας. Λέγεται ότι η Samsung GDDR7 DRAM θα ​​περιλαμβάνει τεχνολογία ειδικά βελτιστοποιημένη για φόρτους εργασίας υψηλής ταχύτητας και θα υπάρχει επίσης μια επιλογή χαμηλής τάσης λειτουργίας σχεδιασμένη για εφαρμογές με προσεκτική χρήση ενέργειας, όπως φορητοί υπολογιστές. Για τα θερμικά, το νέο πρότυπο μνήμης θα χρησιμοποιεί μια εποξειδική ένωση χύτευσης (EMC) με υψηλή θερμική αγωγιμότητα που μειώνει τη θερμική αντίσταση έως και 70%. Τον Αύγουστο αναφέρθηκε ότι η Samsung χρησιμοποιούσε τη μνήμη GDDR7 DRAM της στη NVIDIA για έγκαιρη αξιολόγηση των καρτών γραφικών gaming επόμενης γενιάς.

Εξέλιξη μνήμης γραφικών GDDR:

Samsung LPDDR5x για μονάδες CAMM2 επόμενης γενιάς, σχέδια αδυνατίσματος για κινητά

Προκειμένου να επεξεργαστούν εργασίες έντασης δεδομένων, οι σημερινές τεχνολογίες τεχνητής νοημοσύνης κινούνται προς ένα υβριδικό μοντέλο που κατανέμει και κατανέμει τον φόρτο εργασίας μεταξύ των συσκευών cloud και edge. Αντίστοιχα, η Samsung παρουσίασε μια σειρά λύσεων μνήμης που υποστηρίζουν παράγοντες υψηλής απόδοσης, υψηλής χωρητικότητας, χαμηλής ισχύος και μικρής μορφής στο edge.

Εκτός από την πρώτη 7,5 Gbps LPDDR5X CAMM2 της βιομηχανίας, η οποία αναμένεται να αλλάξει πραγματικά το παιχνίδι στην αγορά DRAM υπολογιστών και φορητών υπολογιστών επόμενης γενιάς, η εταιρεία παρουσίασε επίσης τις 9,6 Gbps LPDDR5X DRAM, LLW DRAM εξειδικευμένες για τεχνητή νοημοσύνη στη συσκευή. γενιάς Universal Flash Storage (UFS) και τον υψηλής χωρητικότητας Quad-Level Cell (QLC) SSD BM9C1 για υπολογιστές.

Ενημερώσεις τεχνολογίας μνήμης GPU