Αποκαλύφθηκε η μνήμη Samsung HBM3E Shinebolt, η ανάπτυξη HBM4 ενημερώθηκε

Η Samsung αποκάλυψε τη μνήμη HBM3E που ονομάζεται Shinebolt κατά τη διάρκεια της εκδήλωσης Memory Tech Days 2023. Η μνήμη HBM3E της εταιρείας είναι μια αναβάθμιση σε σχέση με την τρέχουσα μνήμη HBM3 και προσφέρει νέα σημεία αναφοράς για το εύρος ζώνης και την ταχύτητα της μνήμης. Προορίζεται για χρήση με επεξεργαστές και GPU υψηλής

τεχνολογία

ς για διακομιστές και υπολογιστές υψηλής τεχνολογίας. Η εταιρεία αποκάλυψε επίσης περισσότερες πληροφορίες σχετικά με την ανάπτυξη του GDDR7 VRAM, της μνήμης LPDDR5X CAMM και του Detachable AutoSSD.

Η μνήμη HBM3E της Samsung υποστηρίζεται ότι είναι ταχύτερη από παρόμοια τσιπ από Micron και SK Hynix

Η μνήμη DRAM Shinebolt HBM3E της νοτιοκορεατικής εταιρείας έχει σχεδιαστεί για χρήση σε κέντρα δεδομένων για εκπαίδευση μοντέλων τεχνητής νοημοσύνης και πολλές άλλες εφαρμογές υψηλής απόδοσης. Προσφέρει ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων 9,8 Gbps ανά pin, πράγμα που σημαίνει ότι μπορεί να φτάσει ταχύτητες μεταφοράς έως και 1,2 TBps. Η Samsung έχει βελτιστοποιήσει την τεχνολογία NCF (Non-Conductive Film) για να αφαιρέσει τα κενά μεταξύ των στρωμάτων του τσιπ για να βελτιώσει τη θερμική αγωγιμότητα.

Η Samsung κατασκευάζει το καλούπι μνήμης 24 GBit HBM χρησιμοποιώντας τον κόμβο κατηγορίας 10nm (14nm) τέταρτης γενιάς που βασίζεται σε EUV. Χρησιμοποιώντας τις στοίβες 8Hi και 12Hi, η εταιρεία μπορεί να δημιουργήσει χωρητικότητες 24 GB και 36 GB, προσφέροντας 50% υψηλότερες χωρητικότητες από τη μνήμη HBM3. Η εταιρεία διαφημίζει τουλάχιστον 8Gbps/pin, προσφέροντας μία στοίβα HBM3E με ελάχιστο εύρος ζώνης 1TB/sec και μέγιστο εύρος ζώνης 1,225TB/sec, υψηλότερο από τους αντιπάλους της Micron και SK Hynix.

Η μνήμη HBM3E της εταιρείας βρίσκεται επί του παρόντος σε φάση δειγματοληψίας και αποστέλλεται στους πελάτες της για

δοκιμή

και η μαζική παραγωγή αυτών των τσιπ μνήμης θα ξεκινήσει κάποια στιγμή το 2024.

Η Samsung αποκαλύπτει περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με την ανάπτυξη μνήμης HBM4

Η Samsung αποκάλυψε επίσης ότι θα χρησιμοποιήσει πιο προηγμένες τεχνολογίες

κατασκευή

ς και συσκευασίας chip για τη μνήμη HBM4. Ενώ οι προδιαγραφές HBM4 δεν έχουν καν εγκριθεί ακόμη, αποκαλύφθηκε ότι η βιομηχανία επιδιώκει να χρησιμοποιήσει μια ευρύτερη διεπαφή μνήμης (2.048 bit). Η εταιρεία θέλει να χρησιμοποιήσει τρανζίστορ FinFET αντί για επίπεδα τρανζίστορ για να μειώσει την κατανάλωση ενέργειας.

Ο νοτιοκορεάτης κατασκευαστής τσιπ μνήμης θέλει να περάσει από τη συγκόλληση με μικρο-προσκρούσεις στη συγκόλληση χωρίς χτύπημα (άμεση από χαλκό σε χαλκό) για τη συσκευασία. Αυτή η τεχνολογία είναι σχετικά νέα, ακόμη και στην κατασκευή λογικών τσιπ, επομένως το HBM4 μπορεί να είναι πολύ δαπανηρό.

Το GDDR7 της Samsung προσφέρει 50% χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας σε κατάσταση αναμονής

Πριν από λίγους μήνες, η Samsung αποκάλυψε ότι είχε ολοκληρώσει την αρχική ανάπτυξη της μνήμης GDDR7. Το GDDR7 χρησιμοποιεί σηματοδότηση PMA3, προσφέροντας 1,5 bit προς μεταφορά ανά κύκλο. Η εταιρεία θα αρχίσει να αποστέλλει μονάδες 16 Gbit (2 GB) που μπορούν να λειτουργούν έως και 32 Gbps/pin, κάτι που είναι 33% βελτίωση σε σχέση με τη μνήμη GDDR6.

Μπορεί να προσφέρει ταχύτητα μεταφοράς 1 TB/s μέσω διαύλου μνήμης 256 bit. Αυτός ο νέος τύπος μνήμης βελτιώνει την απόδοση ισχύος σε καταστάσεις ενεργής και αναμονής, χάρη στα πρόσθετα χειριστήρια ρολογιού. Η Samsung αναμένει να είναι η πρώτη εταιρεία που θα αρχίσει να αποστέλλει τσιπ μνήμης GDDR7 κάποια στιγμή μέσα στο 2024. Ωστόσο, δεν έχει αποκαλυφθεί ακόμη ακριβές χρονικό πλαίσιο.

Η Samsung αποκάλυψε επίσης τη μνήμη Petabyte SSD και LPCAMM

Κατά τη διάρκεια της εκδήλωσης Memory Tech Days 2023, η Samsung αποκάλυψε επίσης ότι θα μπορούσε να είναι η πρώτη που θα κυκλοφορήσει έναν SSD σε κλίμακα petabyte (PBSSD). Πριν από λίγες ημέρες, ανακοίνωσε έναν νέο παράγοντα μορφής για LPDDR5X DRAM για φορητούς υπολογιστές και υπολογιστές: τσιπ μνήμης LPCAMM. Αυτή η νέα συμπαγής αλλά αποσπώμενη μορφή DRAM επιτρέπει στις αγορές φορητών υπολογιστών και υπολογιστών να αποστέλλουν πιο συμπαγείς συσκευές στις οποίες η DRAM δεν είναι συγκολλημένη. Έτσι, οι χρήστες μπορούν να αφαιρέσουν και να αναβαθμίσουν τις μονάδες CAMM2 DRAM.

Για εξειδικευμένο φόρτο εργασίας AI στη συσκευή, η εταιρεία παρουσίασε επίσης το LLW2 DRAM. Η Samsung αποκάλυψε επίσης τα τσιπ LPDDR5X DRAM 9,6 Gbps και τα τσιπ UFS (Universal Flash Storage) επόμενης γενιάς. Η εταιρεία αποκάλυψε επίσης τον υψηλής χωρητικότητας QLC (Quad-Level Cell) SSD BM9C1 για υπολογιστές.

Η Samsung αποκαλύπτει τους πρώτους αποσπώμενους SSD στον κόσμο για χρήση σε αυτοκίνητα

Για την αυτοκινητοβιομηχανία, η Samsung ανακοίνωσε το Detachable AutoSSD, το οποίο έχει ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων έως και 6.500MBps και χωρητικότητα αποθήκευσης έως και 4TB. Δεδομένου ότι είναι αποσπώμενο, οι κατασκευαστές αυτοκινήτων μπορούν να κάνουν αλλαγές στις διαμορφώσεις των αυτοκινήτων τους. Η εταιρεία της Νότιας Κορέας παρουσίασε επίσης τσιπ μνήμης GDDR7 VRAM και LPDDR5X DRAM υψηλού εύρους ζώνης για αυτοκίνητα.

Ο Jung-Bae Lee, Πρόεδρος και Επικεφαλής Επιχειρήσεων Μνήμης στη

Samsung Electronics

, δήλωσε:

Η νέα εποχή της υπερκλίμακας AI έφερε τη βιομηχανία σε ένα σταυροδρόμι όπου η καινοτομία και οι ευκαιρίες διασταυρώνονται, παρουσιάζοντας μια εποχή με δυνατότητες για μεγάλα άλματα προς τα εμπρός, παρά τις προκλήσεις. Μέσα από ατελείωτη φαντασία και αμείλικτη επιμονή, θα συνεχίσουμε να ηγούμαστε στην αγορά οδηγώντας την καινοτομία και συν

εργαζόμενοι

με πελάτες και συνεργάτες για να προσφέρουμε λύσεις που διευρύνουν τις δυνατότητες.

”