Η “τέλεια” μνήμη που θα μπορούσε μια μέρα να αντικαταστήσει τρεις τύπους αποθήκευσης αποκτά πολύ πρώιμο πρωτότυπο — το SOT-MRAM είναι η κρυφή μνήμη, η μνήμη συστήματος και η αποθήκευση σε ένα

Το Ινστιτούτο

Έρευνα

ς Βιομηχανικής Τεχνολογίας (ITRI) και η Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ανακοίνωσαν τη δημιουργία ενός τσιπ συστοιχίας SOT-MRAM (μαγνητική μνήμη τυχαίας πρόσβασης με ροπή περισ

τροφή

ς περιστροφής), το αποτέλεσμα ενός κοινού προγράμματος ανάπτυξης

που

ανακοινώθηκε για πρώτη φορά το 2022.

Το νέο SOT-MRAM, που διαφημίζεται ως πιθανή αντικατάσταση του STT-MRAM (spin-transfer-torque MRAM), θα μπορούσε να χρησιμοποιηθεί για υπολογιστές σε αρχιτεκτονικές μνήμης και ως εναλλακτική λύση για εφαρμογές ενσωματωμένης κρυφής μνήμης τελευταίου επιπέδου υψηλής πυκνότητας. Απαιτεί μόλις το 1% της ηλεκτρικής ενέργειας που καταναλώνεται από τον προκάτοχό του και λέγεται ότι είναι ταχύτερο από τη DRAM.

Η ITRI και η TSMC δημοσίευσαν μια νέα ερευνητική εργασία σχετικά με αυτό το μικροηλεκτρονικό στοιχείο, στο Διεθνές Συνέδριο Ηλεκτρονικών Συσκευών του IEE 2023 (IEDM 2023).

Εμπόδια ακόμα να ξεπεραστούν

Ο Δρ Shih-Chieh Chang, Γενικός Διευθυντής των Εργαστηρίων Έρευνας Ηλεκτρονικών και Οπτοηλεκτρονικών Συστημάτων στο ITRI, δήλωσε: «Μετά τις συγγραφικές εργασίες που παρουσιάστηκαν στο Συμπόσιο για την τεχνολογία και τα κυκλώματα VLSI πέρυσι, αναπτύξαμε περαιτέρω μια μονάδα SOT-MRAM κύτταρο. Αυτή η κυψέλη μονάδας επιτυγχάνει ταυτόχρονα χαμηλή κατανάλωση ενέργειας και λειτουργία υψηλής ταχύτητας, φτάνοντας ταχύτητες έως και 10 νανοδευτερόλεπτα.

Και

η συνολική υπολογιστική του απόδοση μπορεί να βελτιωθεί περαιτέρω όταν ενσωματωθεί με υπολογιστές στη σχεδίαση κυκλωμάτων μνήμης. Κοιτάζοντας το μέλλον, αυτή η τεχνολογία έχει τη δυνατότητα για εφαρμογές σε υπολογιστές υψηλής απόδοσης (HPC),

τεχνητή νοημοσύνη

, τσιπ αυτοκινήτου και πολλά άλλα.»

Η άνοδος του AI, 5G και AIoT έχει υποκινήσει την ανάγκη για ταχύτερη επεξεργασία και νέες λύσεις μνήμης που προσφέρουν ανώτερη ταχύτητα, σταθερότητα και ενεργειακή απόδοση. Αυτή η ανακάλυψη δυνητικά ανοίγει το δρόμο για την τεχνολογία μνήμης επόμενης γενιάς, αλλά υπάρχουν προβλήματα.

Οπως και

επισημαίνει η Tom’s Hardware

, «Ενώ το SOT-MRAM προσφέρει χαμηλότερη ισχύ αναμονής από το SRAM, χρειάζεται υψηλά ρεύματα για λειτουργίες εγγραφής, επομένως η δυναμική του κατανάλωση ενέργειας εξακολουθεί να είναι αρκετά υψηλή. Επιπλέον, τα κύτταρα SOT-MRAM εξακολουθούν να είναι μεγαλύτερα από τα κύτταρα SRAM και είναι πιο δύσκολο να κατασκευαστούν. Ως αποτέλεσμα, ενώ η τεχνολογία SOT-MRAM φαίνεται πολλά υποσχόμενη, είναι απίθανο να αντικαταστήσει τη SRAM σύντομα. Ωστόσο, για εφαρμογές υπολογιστών στη μνήμη, το SOT-MRAM θα ​​μπορούσε να έχει πολύ νόημα, αν όχι τώρα, αλλά όταν η TSMC μάθει πώς να κάνει το SOT-MRAM οικονομικά αποδοτικά.»