Η SK hynix επιβεβαιώνει ότι η ανάπτυξη μνήμης υψηλού εύρους ζώνης HBM4 ξεκινά το 2024

Το SK hynix έχει

επιβεβαιωμένος

σε μια ανάρτηση ιστολογίου ότι η ανάπτυξη της επόμενης γενιάς μνήμης υψηλού εύρους ζώνης HBM4 ξεκινά το 2024.

Η SK hynix θα ξεκινήσει την ανάπτυξη της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης επόμενης γενιάς HBM4 το 2024, για να τροφοδοτήσει την επόμενη εποχή των κέντρων δεδομένων και της τεχνητής νοημοσύνης

Μέχρι στιγμής, έχουμε δει τις

Micron

& Samsung να καταγράφουν τα προϊόντα μνήμης HBM4 επόμενης γενιάς, επιβεβαιώνοντας ταυτόχρονα την ανάπτυξη. Αυτές οι δύο

εταιρείες

έχουν επισημάνει ένα χρονοδιάγραμμα κυκλοφορίας περίπου 2025-2026. Με βάση την τελευταία επιβεβαίωση από την SK hynix, η εταιρεία αποκάλυψε επίσης ότι σχεδιάζει να ξεκινήσει την παραγωγή της επόμενης γενιάς μνήμης υψηλού εύρους ζώνης το 2024.

Μιλώντας για τα προϊόντα HBM, ο Senior Manager Kim Wang-soo τόνισε ότι η εταιρεία θα παράγει μαζικά τη δική της λύση HBM3E, μια βελτιωμένη παραλλαγή της υπάρχουσας μνήμης HBM3, το 2024. Η νέα μνήμη θα προσφέρει αυξημένες ταχύτητες και χωρητικότητες. Αλλά την ίδια χρονιά, η SK hynix σχεδιάζει επίσης να ξεκινήσει την ανάπτυξη της μνήμης HBM4 που θα σηματοδοτήσει ένα σημαντικό βήμα στη συνεχή εξέλιξη της στοίβας προϊόντων HBM.

Το ανταγωνιστικό πλεονέκτημα θα συνεχιστεί και

του

χρόνου. Ο επικεφαλής της ομάδας GSM, Kim Wang-soo, δήλωσε: «Με τη μαζική παραγωγή και τις

πωλήσεις

του HBM3E που προγραμματίζονται για το επόμενο έτος, η κυριαρχία μας στην αγορά θα μεγιστοποιηθεί για άλλη μια φορά». Πρόσθεσε, «Καθώς η ανάπτυξη του HBM4, του προϊόντος παρακολούθησης, έχει επίσης προγραμματιστεί να ξεκινήσει σοβαρά, το HBM της SK Hynix θα εισέλθει σε νέα φάση το επόμενο έτος. «Θα είναι μια χρονιά που θα γιορτάσουμε», είπε.

μέσω SK hynix

Τώρα, καθώς η ανάπτυξη σχεδιάζεται για το 2024, μπορούμε να περιμένουμε ότι τα πραγματικά προϊόντα που χρησιμοποιούν τέτοιου είδους μήτρες μνήμης θα είναι διαθέσιμα μέχρι το τέλος του 2025 ή του 2026. Ένας πρόσφατος οδικός χάρτης που μοιράστηκε η

Trendforce

αναμένει ότι τα πρώτα δείγματα HBM4 αναμένεται να διαθέτουν χωρητικότητα έως και 36 GB ανά στοίβα και η πλήρης προδιαγραφή αναμένεται να κυκλοφορήσει γύρω στο 2ωρο 2024-2025 από την JEDEC. Η πρώτη δειγματοληψία και διαθεσιμότητα πελατών αναμένεται το 2026, επομένως υπάρχει ακόμη πολύς χρόνος μέχρι να δούμε τις νέες λύσεις μνήμης υψηλού εύρους ζώνης σε δράση.

Με στοίβες 36 GB, μπορείτε να αποκτήσετε χωρητικότητα έως και 288 GB και σχεδιάζεται ακόμη μεγαλύτερη χωρητικότητα. Η μνήμη HBM3E ξεπερνά ήδη τα 9,8 Gbps, επομένως μπορούμε να περιμένουμε ότι η HBM4 θα είναι η πρώτη που θα σπάσει το διψήφιο φράγμα των 10+ Gbps. Όσον αφορά τα προϊόντα, το Blackwell της NVIDIA αναμένεται να χρησιμοποιεί μονάδες μνήμης HBM3E, επομένως θα είναι ο διάδοχος του Blackwell (πιθανώς με την κωδική ονομασία του Vera Rubin) ή μιας αναβαθμισμένης έκδοσης όπως το Hopper

H200

(HBM3E) που θα είναι το πρώτο που θα χρησιμοποιήσει το HBM4.

Οδικός χάρτης NVIDIA Data Center / AI GPU