Η Samsung αρνείται κατηγορηματικά τη χρήση τεχνολογίας του ανταγωνιστή για τσιπ μνήμης
Αναφέρθηκε χθες ότι η Samsung θα αρχίσει να φτιάχνει προηγμένα τσιπ μνήμης υψηλού εύρους ζώνης (HBM), που χρησιμοποιούνται για διάφορες εφαρμογές συμπεριλαμβανομένης της τεχνητής νοημοσύνης, με τεχνολογία που ευνοείται από τον τοπικό ανταγωνιστή της SK Hynix. Η εταιρεία φέρεται να έκανε αυτή τη μετάβαση για να αυξήσει τις αποδόσεις της σε τσιπ HBM.
Η SK Hynix έχει καταφέρει να εδραιώσει μια σταθερή βάση στην αγορά HBM. Η Samsung, μια μακροχρόνια κυρίαρχη δύναμη στην αγορά της μνήμης, θα ήθελε σίγουρα όσο περισσότερο μερίδιο μπορεί να πάρει. Ωστόσο, η εταιρεία έχει αρνηθεί ότι πρόκειται να χρησιμοποιήσει την ίδια τεχνολογία που χρησιμοποιεί η SK Hynix.
Η Samsung εμμένει στον τρόπο που κάνει τα πράγματα
Τα τσιπ HBM της Samsung κατασκευάζονται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο μη αγώγιμου φιλμ που στοιβάζει στρώματα τσιπ. Αυτή η μέθοδος λέγεται ότι λειτουργεί καλά για μάρκες με λιγότερα επίπεδα, αλλά παρουσιάζει προβλήματα σε μάρκες με μεγαλύτερο αριθμό στρώσεων, με αποτέλεσμα χαμηλότερες αποδόσεις. Αυτός λέγεται ότι είναι ένας από τους λόγους για τους οποίους η Samsung υστερεί στον χώρο της HBM για να προμηθεύει κορυφαίους κατασκευαστές τσιπ τεχνητής νοημοσύνης όπως η NVIDIA με τσιπ HBM3.
Η SK Hynix χρησιμοποιεί τη διαδικασία υπογεμίσματος με χύτευση επαναρροής μάζας η οποία προφανώς δεν πάσχει από τις ίδιες ελλείψεις και παρέχει απόδοση 60-70%. Αυτό επέτρεψε στη SK Hynix να αποκτήσει μια κυρίαρχη θέση στην αγορά και επίσης να υπογράψει μια πρόσφατη συμφωνία με την NVIDIA για την προμήθεια τσιπ HBM3.
Ωστόσο, η Samsung θα ήθελε όλοι να γνωρίζουν ότι δεν υπάρχει αλήθεια σε αυτές τις αναφορές. Σε σύντομη δήλωση, εκπρόσωπος της εταιρείας
επιβεβαιωμένος
ότι
«Οι φήμες ότι η Samsung Electronics θα εφαρμόσει το MR-MUF στην παραγωγή HBM της δεν είναι αληθινές».
Ο εκπρόσωπος απέρριψε επίσης αναφορές για χαμηλές αποδόσεις, λέγοντας ότι η Samsung συνέχισε να διατηρεί σταθερό ποσοστό απόδοσης των τσιπ HBM3 της.
